Référence des 22 types routés par SesameRouter dans le dépôt actuel.
Lecture scientifique. Les types scalaires PV, les études agrégées et les diagnostics non-IV ne portent pas le même niveau de preuve. Les structures multicouches, tandem et triple jonction doivent être interprétées avec les métadonnées de validité et scientific_readiness.
Atlas détaillé des 22 simulations
Cette section sert de canevas éditorial pour documenter chaque simulation avec le même niveau de rigueur. Les trois emplacements d'images proposés par simulation sont volontairement nommés de manière stable : déposez les fichiers PNG dans docs/img/ avec ces noms et la page les affichera automatiquement à la place du placeholder.
Homojunction homojunction
simulations.homojunction.simulate_homojunction · PV scalaire · 1D, 2D optionnel via geometry.ly/ny
Modèle de jonction p-n dans un matériau unique. C'est la simulation de référence pour vérifier le transport drift-diffusion, la génération optique, la zone de déplétion et l'extraction des paramètres photovoltaïques.
Poisson + continuité électrons/trous, courant de dérive-diffusion, génération Beer-Lambert ou TMM, recombinaisons SRH/Auger/radiative selon le matériau.
Sorties
current_density, jsc, voc, fill_factor, efficiency, band_diagram, champs, densités et diagnostics de validité.
À surveiller
Convergence Sesame, valeurs extrêmes de flux photonique, maillage trop grossier autour de la jonction, fallback analytique ou fallback 2D→1D.
3 images à ajouter
Schéma physique Empilement n/p, dopages, contacts et direction de la lumière. img/sim-homojunction-structure.png
Résultat principal Courbe J-V annotée avec Jsc, Voc, FF et PCE. img/sim-homojunction-jv.png
Diagnostic interne Diagramme Ec/Ev/Ef ou carte de recombinaison. img/sim-homojunction-bands.png
Simulation d'une jonction entre deux matériaux différents, par exemple CdS/CdTe ou a-Si/c-Si. Le point central n'est plus seulement le dopage, mais l'alignement de bandes à l'interface.
Entrées critiques
materials.n_type, materials.p_type, dopages, épaisseurs, pièges d'interface et contacts.
Physique
Règle d'Anderson pour delta_Ec/delta_Ev, transport drift-diffusion de part et d'autre, recombinaison d'interface si configurée.
Sorties
J-V, offsets de bande, type I/II/III, hetero_limitations, diagramme de bandes avec discontinuités.
À surveiller
Tunneling non modélisé si barrière trop haute, dipôles d'interface absents, paramètres matériaux manquants ou estimés.
3 images à ajouter
Schéma physique Interface n/p avec matériaux et offsets. img/sim-heterojunction-structure.png
Bandes Ec/Ev montrant spike ou cliff. img/sim-heterojunction-offsets.png
Performance J-V avant/après changement de vitesse de recombinaison d'interface. img/sim-heterojunction-jv.png
Variante de l'hétérojonction où l'interface est remplacée par une zone de transition en sous-couches. Elle sert à étudier si un gradient de composition réduit les barrières de transport.
Entrées critiques
graded.grade_width, graded.grade_sublayers, matériaux extrêmes, dopages et épaisseurs.
Physique
Interpolation linéaire des paramètres matériaux, lissage de Eg et de l'affinité électronique, résolution Sesame sur la structure effective.
Sorties
Profil de gap, diagramme de bandes lissé, J-V, comparaison avec hétérojonction abrupte.
À surveiller
Un gradient trop fin peut coûter cher numériquement; un gradient trop large change la physique de collection.
3 images à ajouter
Structure Zone de transition découpée en sous-couches. img/sim-graded-structure.png
Profil Evolution de Eg(x) et χ(x). img/sim-graded-profile.png
Comparaison J-V abrupt vs gradé. img/sim-graded-jv-compare.png
Multi Layer multi_layer
simulations.multi_layer.simulate_multi_layer · PV scalaire · jusqu'à 7 couches
Structure générale multicouche pour cellules à empilements complexes : fenêtre, transporteurs sélectifs, absorbeur, buffer, contacts. C'est le mode le plus flexible, mais aussi celui dont l'interprétation demande le plus de prudence.
Entrées critiques
layers[], épaisseurs, matériaux, dopages, contacts, paramètres optiques et ordre des couches.
Physique
Empilement drift-diffusion avec génération optique multicouche; validation renforcée des métriques PV.
Sorties
J-V, résumé par couche, génération intégrée, bandes, diagnostics iv_metrics_valid et scientific_readiness.
À surveiller
Une courbe produite ne signifie pas une performance exploitable; lire les flags de validité avant toute conclusion.
3 images à ajouter
Empilement Couches avec matériaux et épaisseurs. img/sim-multilayer-stack.png
Optique Génération G(x) par couche. img/sim-multilayer-generation.png
Validité Résumé des flags physiques et readiness. img/sim-multilayer-validity.png
Discrétise une distribution continue de pièges dans le gap : gaussienne, queue d'Urbach côté conduction, queue d'Urbach côté valence ou distribution uniforme.
Résout explicitement une jonction p-n 2D avec joint de grain sous forme de défaut linéaire. C'est la simulation à utiliser lorsque la localisation latérale des pertes est importante.
Entrées critiques
geometry.ly, geometry.ny, position du joint, densité et sections efficaces du défaut.
Physique
Transport drift-diffusion 2D, potentiel électrostatique et recombinaison spatialisés.
Sorties
Cartes 2D de potentiel, porteurs, courant, recombinaison et métriques PV globales.
À surveiller
Coût numérique et sensibilité au maillage; commencer avec peu de points avant d'affiner.
3 images à ajouter
Domaine 2D Maillage x-y et ligne de joint. img/sim-gb2d-domain.png
Carte Potentiel ou recombinaison 2D. img/sim-gb2d-map.png
Extraction Coupe latérale au travers du joint. img/sim-gb2d-linecut.png
Lance une simulation de base plusieurs fois en modifiant un paramètre. C'est l'outil pour établir une tendance physique avant de passer à l'optimisation.
Entrées critiques
parametric.parameter, parametric.values, simulation de base complète et cohérente.
Physique
La physique vient de la simulation de base; le sweep ajoute l'organisation, la répétition et l'agrégation.
Sorties
Listes de Jsc/Voc/FF/PCE, courbes par point, progression par point en interface web.
À surveiller
Un paramètre vide ou mal ciblé répète la même simulation; toujours vérifier que la valeur effective change.
3 images à ajouter
Plan Paramètre balayé et valeurs. img/sim-sweep-plan.png
Tendance PCE/Jsc/Voc vs paramètre. img/sim-sweep-metrics.png
Courbes Superposition des J-V. img/sim-sweep-jv-family.png
Balaye l'intensité lumineuse pour analyser faible lumière, 1 sun et concentration. Utile pour distinguer limitations de recombinaison et résistances série/shunt.
Entrées critiques
illumination.intensities, flux AM1.5G de référence, absorption, simulation de base.
Physique
Mise à l'échelle du flux photonique et recalcul des courbes IV sous chaque excitation.
Sorties
Jsc proportionnel à l'éclairement, Voc logarithmique, PCE/FF selon intensité.
À surveiller
Les fortes concentrations peuvent rendre les résistances et l'échauffement dominants, hors modèle si non inclus.
Compare l'effet de spectres lumineux différents : AM1.5G, AM0 ou spectre utilisateur. Cette simulation répond à la question : le dispositif reste-t-il performant quand la distribution spectrale change ?
Entrées critiques
spectrum.wavelengths, spectrum.intensity ou irradiance, choix du modèle optique.
Physique
Calcul de génération spectrale G(x,λ) puis intégration sur le spectre.
Sorties
Réponse par spectre, Jsc/PCE sous chaque illumination, éventuelle EQE associée.
À surveiller
Unités spectrales et longueurs de tableaux doivent rester cohérentes.
Convertit la réponse quantique en réponse électrique spectrale, typiquement en A/W. C'est le pont entre une mesure optique et un signal de photodétecteur ou cellule calibrée.
Entrées critiques
EQE ou paramètres permettant de la calculer, longueur d'onde, puissance spectrale.
Physique
Relation SR(λ) = EQE(λ) · qλ/(hc).
Sorties
Réponse A/W, courant spectral intégré, cohérence avec spectre incident.
À surveiller
Grille EQE et grille spectrale doivent avoir la même longueur et les mêmes unités.
3 images à ajouter
Relation EQE → SR. img/sim-sr-conversion.png
Résultat SR(λ) en A/W. img/sim-sr-curve.png
Intégration SR × spectre incident. img/sim-sr-integral.png
Tandem tandem
simulations.multijunction.simulate_tandem · PV scalaire à réserves
Modèle une cellule à deux sous-jonctions. La top cell filtre le spectre et la bottom cell exploite les photons transmis. En mode 2 terminaux, le courant est limité par la sous-cellule la plus faible.
Lire scientific_readiness; un désappariement de courant rend la PCE globale fragile.
3 images à ajouter
Empilement Top/bottom cell et spectre transmis. img/sim-tandem-stack.png
Matching Jtop/Jbottom vs épaisseur top. img/sim-tandem-current-matching.png
Résultat J-V tandem et sous-cellules. img/sim-tandem-jv.png
Triple Junction triple_junction
simulations.multijunction.simulate_triple_junction · PV scalaire à réserves
Extension trois jonctions, par exemple GaInP/GaAs/Ge. Le modèle sert à comprendre l'allocation spectrale et le courant limitant dans une pile plus contrainte.
Entrées critiques
Trois sous-cellules, gaps, épaisseurs, dopages, ordre spectral, mode de connexion.
Physique
Filtrage spectral en cascade et limitation par la sous-cellule la moins génératrice en connexion série.
Sorties
Courants par sous-cellule, tension totale, matching, readiness et réserves.
À surveiller
Les conclusions fortes nécessitent une validation externe; traiter comme recherche tant que non qualifié.
3 images à ajouter
Empilement Top/middle/bottom et gaps. img/sim-triple-stack.png
Spectre Part absorbée par chaque jonction. img/sim-triple-spectrum-split.png
Matching Courants limitants par sous-cellule. img/sim-triple-current-limit.png
Contact Study contact_study
simulations.contacts.contact_study · diagnostic non-IV / étude de contacts
Analyse l'influence des contacts ohmiques ou Schottky, des travaux de sortie et des vitesses de recombinaison de surface.
Entrées critiques
contact_study.work_function_range, type de contact, recombinaison de surface, matériau actif.
Physique
Barrières de contact, extraction/injection de porteurs, effet sur Rs, Voc et FF.
Sorties
J-V par travail de sortie, barrière effective, comparaison contact ohmique/Schottky.
À surveiller
Le tunneling de contact et les couches interfaciales réelles peuvent manquer.
Représente la cellule par un modèle circuit : source de courant, diode(s), résistance série et résistance shunt. Utile pour diagnostiquer des courbes IV ou communiquer avec un simulateur circuit.
Reproduit une expérience Electron Beam Induced Current : un faisceau électronique crée localement des porteurs et le courant collecté révèle les longueurs de diffusion et les zones recombinantes.
Entrées critiques
Position du faisceau, énergie, rayon, trajectoire de scan, paramètres de collection.
Physique
Génération localisée et diffusion/recombinaison des porteurs minoritaires.
Sorties
Profil EBIC, carte 2D éventuelle, longueur de diffusion ajustée.
À surveiller
L'interaction faisceau-matière réelle peut demander des modèles Monte Carlo non inclus.
3 images à ajouter
Expérience Faisceau SEM et dispositif. img/sim-ebic-setup.png
Carte Signal EBIC 2D. img/sim-ebic-map.png
Profil Décroissance et longueur de diffusion. img/sim-ebic-profile.png
Carte Intensité spatiale ou dépendance injection. img/sim-luminescence-map.png
Parcours complets de simulation
Les flux ci-dessous décrivent le chemin réel d'une configuration, depuis l'entrée utilisateur jusqu'aux résultats consultables dans l'interface ou les exports.
1. Homojunction : de la configuration à la courbe J-V
Ce flux représente le cas d'usage classique d'une cellule photovoltaïque à simple jonction. La simulation s'appuie sur la résolution couplée des équations de Poisson et de Dérive-Diffusion (continuité) sur un maillage adaptatif 1D.
L'utilisateur remplit le formulaire web ou soumet un JSON avec simulation_type = "homojunction".
Le backend normalise la configuration via /api/generate-json, puis déclenche /api/simulate ou /api/run-simulation/<sim_id>/async.
SesameRouter route vers simulations.homojunction.simulate_homojunction.
Le solveur SESAME NIST construit la géométrie, génère un maillage raffiné autour de la jonction p-n, applique le profil de dopage et le taux de génération optique G(x). Il résout ensuite numériquement les équations jusqu'à la convergence (erreur < 1e-6).
SPARC extrait les grandeurs macroscopiques (J-V, métriques PV) et microscopiques (bandes d'énergie, densités de porteurs, recombinaison SRH/Auger).
Les résultats sont relus via /api/results/<sim_id>, les courbes par /plots ou /plot/<plot_name>.
Fig 1. Exemple de Courbe J-V extraite (Influence de Rs)Fig 2. Diagramme de bandes (Ec, Ev, Ef) à l'équilibre
2. Parametric Sweep : étude de sensibilité avec progression
La configuration déclare simulation_type = "parametric_sweep" et fournit parametric.parameter ainsi qu'une liste de valeurs.
Le routeur appelle simulations.parametric.parametric_sweep et instancie une simulation élémentaire pour chaque point de balayage.
Chaque point est résolu avec le modèle physique sous-jacent, puis ses métriques sont agrégées.
La progression est publiée pour l'interface par les points de statut, événements et flux de progression.
Le résultat final n'est pas une seule IV de référence, mais un ensemble de réponses dépendant du paramètre choisi; l'interprétation doit distinguer tendance physique et simple artefact numérique.
3. Quantum Efficiency et Spectral Response
L'utilisateur soumet simulation_type = "quantum_efficiency" ou "spectral_response" avec un domaine spectral cohérent.
Le routeur délègue respectivement à simulations.quantum_efficiency.calculate_eqe ou simulations.quantum_efficiency.spectral_response.
SPARC calcule la génération spectrale, la réponse par longueur d'onde, puis l'intégrale associée au spectre fourni.
La lecture correcte impose de vérifier que la grille spectrale, le flux utilisé et les tableaux retournés restent cohérents en longueur et en unités.
Le résultat utile est ici spectral; il ne faut pas lui attribuer automatiquement le même statut qu'une extraction IV standard.
4. Tandem : empilement, appariement de courant et validité
La configuration choisit simulation_type = "tandem" et renseigne les sous-cellules top/bottom ainsi que leurs épaisseurs et matériaux.
Le routeur appelle simulations.multijunction.simulate_tandem.
Le calcul combine réponse optique et comportement électrique des sous-jonctions, puis estime la compatibilité de courant entre étages.
Les sorties doivent être relues avec les indicateurs iv_metrics_valid, equilibrium_only, physics_validity et surtout scientific_readiness.
Un tandem peut fournir des courbes et tableaux complets tout en restant non qualifié pour une conclusion de performance finale.
5. Défauts continus et joints de grain
Pour continuous_defects, with_defects ou grain_boundary_2d, la configuration doit décrire explicitement densités, captures, positions ou géométries de défaut.
Le routeur envoie vers simulations.defects.simulate_with_continuous_defects, simulations.defects.simulate_with_defects ou simulations.grain_boundary_2d.simulate_2d_grain_boundary.
Le solveur reconstruit alors des pertes spatialisées, potentiellement sous forme de cartes 2D, profils de recombinaison et pénalités sur les performances PV.
Le bon réflexe consiste à lire ensemble les cartes locales et les indicateurs globaux: une seule valeur de Voc ne résume pas l'origine de la dégradation.
Cellules Simples
Homojunction
Simulation de jonction p-n simple pour des matériaux comme Si, GaAs, etc.
Utilisation : Conception de contacts, pertes série
Caractérisation Avancée
Quantum Efficiency
Efficacité quantique externe (EQE) résolue spectralement. Indique la fraction de photons incidents convertis en paires électron-trou collectées. La simulation intègre les modèles d'absorption dépendants de la longueur d'onde et les pertes par réflexion (si spécifiées).
Paramètres clés : spectrum.wavelengths, profil d'absorption du matériau
Sorties : Courbe EQE(λ), intégration pour trouver le Jsc théorique
Utilisation : Caractérisation optique, diagnostic des pertes de recombinaison en surface (basses longueurs d'onde) et en volume (fortes longueurs d'onde).
Fig 3. Efficacité Quantique Externe (EQE) typique calculée par SPARC
EBIC avancé avec cartes complètes et profil de faisceau réaliste.
Paramètres clés : ebic.beam_energy
Sorties : Cartes EBIC 2D
Utilisation : Analyse détaillée SEM
Equivalent Circuit
Extraction des paramètres de circuit équivalent (1-diode, 2-diodes).
Paramètres clés : circuit.model
Sorties : Rs, Rsh, J0, n
Utilisation : Modélisation circuit, diagnostique
Lifetime Analysis
Module d'analyse de durée de vie effective vs niveau d'injection. Il existe dans le code et dans la visualisation, mais n'est pas exposé actuellement comme type routé par SesameRouter.default_routing_table().
Paramètres clés : lifetime.injection_levels
Sorties : Courbe τ(injection)
Utilisation : Caractérisation qualité matériau, à brancher explicitement si un workflow routeur est ajouté
Interprétation. La présence de ces paramètres dans la sortie n'implique pas qu'ils soient scientifiquement exploitables. Vérifiez toujours iv_metrics_valid, equilibrium_only, physics_validity.pv_metrics_applicable et scientific_readiness avant de conclure.
Note : 39 exemples préconfigurés sont disponibles dans le dossier configs/ du projet.