sem_se_escape_fraction — GENERATIVE `sem` op

• 資料種類:無 → signal(僅由參數決定的運算子 —— 不接受影像或資料輸入)

• 呼叫: import fullseye as fs; fs.ledger.sem_se_escape_fraction(potential_v=None, *, phi_ev: 'float' = 2.0)(要直接呼叫實作,import sem; sem.sem_se_escape_fraction(potential_v=None, *, phi_ev: 'float' = 2.0);從台帳取用則 opsgenerative.get("sem_se_escape_fraction"))

用法

二次電子能離開正帶電表面(電位 V > 0)的比例 F(V)。

> 以下的詳細說明為原文 —— 摘要與標題已翻譯。

二次電子のエネルギー分布を Chung-Everhart の f(E) ∝ E / (E + φ)⁴ とし、E > V の割合を閉形式で積分した F(V) = φ² (3u − 2φ) / u³(u = V + φ)。F(0) = 1、V → ∞ で 0。V ≤ 0 は 1(負の面は二次電子を押し出す側。明るくなる分は sem_charging_series が別に扱う)。potential_v を省くと 0〜20 V の 41 点で返す(signal)。

Examples

>>> float(sem_se_escape_fraction(0.0)), round(float(sem_se_escape_fraction(2.0)), 4)

(1.0, 0.5)

詳細使用指南

• generative_art 族使用指南

參考(範例資料、文獻)

• 範例資料目錄(下載 URL / 授權) —— 2-D 用 skimage.data(BSD/公有領域)加合成圖,3-D 給出真實資料源(Stanford/PDS 等)的下載 URL。

• 運算子來歷與參考文獻 —— 該運算子族所依據的研究/方法出處。

• 演算法的正典(作者、年份)與用途見上面的族使用指南。

可執行的範例(實際呼叫該運算子並已驗證的樣例)

• poc_virtual_sem_kv_cd_bse — py -3.11 examples/poc_virtual_sem_kv_cd_bse.py

型別可銜接的下一個運算子(可接受 `signal` 作為輸入)

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同類別(`sem`)

sem_render · sem_electron_mc · sem_se_universal_curve · sem_yield_curve · sem_line_profile · sem_cd_measure · sem_image · sem_charging_series

*Provenance: sem.py — GENERATIVE 運算子登記表。本條目由 tools/opdocs.py md 自動產生(請勿手動編輯)。*

sem_se_escape_fraction — GENERATIVE sem op

用法